Зображення обкладинки

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты

Выявлена тонкая структура химической связи сурьмы. Определены границы полиморфизма сурьмы, что открывает новые технологические возможности создания материалов разного рода для элементов электронной техники. Виявлено тонку структуру хімічного зв'язку стибію гексагональної та ромбоедричної модифі...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2011
Автори:	Ащеулов, А.А., Маник, О.Н., Маник, Т.О., Билинский-Слотыло, В.Р.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51837
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты / А.А. Ащеулов, О.Н. Маник, Т.О. Маник, В.Р. Билинский-Слотыло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 39-42. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2002)

Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)

Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Azcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)

Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
за авторством: Казаков, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008)

Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода
за авторством: Мазницкая, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)