Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Ничкало, С.И., Бережанский, Е.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51844
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Е.И. Бережанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 11-13. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показана возможность использования в качестве антиотражающей поверхности фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) ансамблей нанопроволок кремния. Разработан технологический процесс получения нано размерных структур ФЭП и исследованы их характеристики. Показано можливість використання як антивідбивної поверхні кремнієвих фотоелекгричних перетворювачів (ФЕП) ансамблів нанодротин кремнію. Розроблено технологічний процес отримання нанорозмірної антивідбивної поверхні, розглянуто структури ФЕП та досліджено їх характеристики. The possibility of using of silicon nanowires ensembles as an anti-reflective surface for silicon photovoltaic cells is shown. The technological process for nanoscale anti-reflective surface is developed, the structures of silicon photovoltaic cell are examined and their characteristics are studied.