Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Ничкало, С.И., Бережанский, Е.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Сенсоэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51844
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Е.И. Бережанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 11-13. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показана возможность использования в качестве антиотражающей поверхности фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) ансамблей нанопроволок кремния. Разработан технологический процесс получения нано размерных структур ФЭП и исследованы их характеристики. Показано можливість використання як антивідбивної поверхні кремнієвих фотоелекгричних перетворювачів (ФЕП) ансамблів нанодротин кремнію. Розроблено технологічний процес отримання нанорозмірної антивідбивної поверхні, розглянуто структури ФЕП та досліджено їх характеристики. The possibility of using of silicon nanowires ensembles as an anti-reflective surface for silicon photovoltaic cells is shown. The technological process for nanoscale anti-reflective surface is developed, the structures of silicon photovoltaic cell are examined and their characteristics are studied.