Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода. Запропоновано метод...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2011
Автори: Алтухов, А.А., Афанасьев, М.С., Зяблюк, К.Н., Митягин, А.Ю., Талипов, Н.Х., Чучева, Г.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Теми:
Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51845
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51845
record_format dspace
spelling Алтухов, А.А.
Афанасьев, М.С.
Зяблюк, К.Н.
Митягин, А.Ю.
Талипов, Н.Х.
Чучева, Г.В.
2013-12-12T22:59:27Z
2013-12-12T22:59:27Z
2011
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51845
621.382.3
Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода.
Запропоновано метод термообробки у водні природних та вирощених методом CVD кристалів алмазу, який може служити альтернативою загальноприйнятому методу формування Н-шару в НВЧ-плазмі водню як більш простий і відтворюваний. Встановлено межу термічної стабільності гідрованої алмазної поверхні. Показано, що алюміній, напилений на гідровану при термообробці у водні алмазну поверхню, може служити як затвір Шотки в польових НВЧ-транзисторах, виготовлених за технологією MESFET.
A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond surface are determined. It is shown that aluminum deposited on hydrogenated during the hydrogen heat treatment diamond surface can serve as a Schottky gate in microwave field-effect transistor made with MESFET technology.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Сенсоэлектроника
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
Формування дельта-легованого воднем р-шару в природних та CVD-кристалах алмазу
Formation of delta-doped p-layer of hydrogen in natural and CVD-diamond crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
spellingShingle Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
Алтухов, А.А.
Афанасьев, М.С.
Зяблюк, К.Н.
Митягин, А.Ю.
Талипов, Н.Х.
Чучева, Г.В.
Сенсоэлектроника
title_short Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_full Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_fullStr Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_full_unstemmed Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
title_sort формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и cvd-кристаллах алмаза
author Алтухов, А.А.
Афанасьев, М.С.
Зяблюк, К.Н.
Митягин, А.Ю.
Талипов, Н.Х.
Чучева, Г.В.
author_facet Алтухов, А.А.
Афанасьев, М.С.
Зяблюк, К.Н.
Митягин, А.Ю.
Талипов, Н.Х.
Чучева, Г.В.
topic Сенсоэлектроника
topic_facet Сенсоэлектроника
publishDate 2011
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Формування дельта-легованого воднем р-шару в природних та CVD-кристалах алмазу
Formation of delta-doped p-layer of hydrogen in natural and CVD-diamond crystals
description Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода. Запропоновано метод термообробки у водні природних та вирощених методом CVD кристалів алмазу, який може служити альтернативою загальноприйнятому методу формування Н-шару в НВЧ-плазмі водню як більш простий і відтворюваний. Встановлено межу термічної стабільності гідрованої алмазної поверхні. Показано, що алюміній, напилений на гідровану при термообробці у водні алмазну поверхню, може служити як затвір Шотки в польових НВЧ-транзисторах, виготовлених за технологією MESFET. A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundaries of thermal stability of hydrogenated diamond surface are determined. It is shown that aluminum deposited on hydrogenated during the hydrogen heat treatment diamond surface can serve as a Schottky gate in microwave field-effect transistor made with MESFET technology.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51845
citation_txt Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT altuhovaa formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
AT afanasʹevms formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
AT zâblûkkn formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
AT mitâginaû formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
AT talipovnh formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
AT čučevagv formirovaniedelʹtalegirovannogovodorodompsloâvprirodnyhicvdkristallahalmaza
AT altuhovaa formuvannâdelʹtalegovanogovodnemršaruvprirodnihtacvdkristalahalmazu
AT afanasʹevms formuvannâdelʹtalegovanogovodnemršaruvprirodnihtacvdkristalahalmazu
AT zâblûkkn formuvannâdelʹtalegovanogovodnemršaruvprirodnihtacvdkristalahalmazu
AT mitâginaû formuvannâdelʹtalegovanogovodnemršaruvprirodnihtacvdkristalahalmazu
AT talipovnh formuvannâdelʹtalegovanogovodnemršaruvprirodnihtacvdkristalahalmazu
AT čučevagv formuvannâdelʹtalegovanogovodnemršaruvprirodnihtacvdkristalahalmazu
AT altuhovaa formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals
AT afanasʹevms formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals
AT zâblûkkn formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals
AT mitâginaû formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals
AT talipovnh formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals
AT čučevagv formationofdeltadopedplayerofhydrogeninnaturalandcvddiamondcrystals
first_indexed 2025-12-07T18:24:34Z
last_indexed 2025-12-07T18:24:34Z
_version_ 1850874920529035264

Схожі ресурси