Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Алтухов, А.А., Афанасьев, М.С., Зяблюк, К.Н., Митягин, А.Ю., Талипов, Н.Х., Чучева, Г.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51845
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода. Запропоновано метод...