Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной поверхности алмаза, термообработанного в потоке водорода. Запропоновано метод...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Алтухов, А.А., Афанасьев, М.С., Зяблюк, К.Н., Митягин, А.Ю., Талипов, Н.Х., Чучева, Г.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51845 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза / А.А. Алтухов, М.С. Афанасьев, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 14-16. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Автотрассовый газоанализатор
за авторством: Девятко, Г.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Девятко, Г.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Расчет коэффициента преобразования кондуктометрического датчика биосенсора
за авторством: Михаль, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Михаль, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2012)
Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
за авторством: Мухоед, Н.А.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мухоед, Н.А.
Опубліковано: (2003)
Физический принцип преобразования флуктуаций в датчиках
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2003)
Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Экспериментальные исследования датчика давления с пневмомеханическим резонатором
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Мостовые магниточувствительные сенсоры
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2004)
Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
за авторством: Ревенюк, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ревенюк, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Сравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
за авторством: Швец, А.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Швец, А.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
Датчик скорости газового потока
за авторством: Годованюк, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Годованюк, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Оперативный контроль состояния акустических сенсорных сетей
за авторством: Болтенков, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Болтенков, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
Схожі ресурси
-
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007) -
Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009) -
Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)