Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
Разработаны технология и конструкция прототипа датчика высокоэнергетических частиц для эксперимента ALICE. Детекторы удовлетворяют требованиям по основным электрофизическим параметрам и по радиационной стойкости. Розглянуто питання проектування, технології та виготовлення двосторонніх кремнієвих мік...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51846 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 17-24. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862579906741796864 |
|---|---|
| author | Перевертайло, В.Л. |
| author_facet | Перевертайло, В.Л. |
| citation_txt | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 17-24. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработаны технология и конструкция прототипа датчика высокоэнергетических частиц для эксперимента ALICE. Детекторы удовлетворяют требованиям по основным электрофизическим параметрам и по радиационной стойкости.
Розглянуто питання проектування, технології та виготовлення двосторонніх кремнієвих мікростріпових детекторів на стандартному обладнанні технологічної лінії в умовах серійного виробництва кремнієвих інтегральних схем. Представлено розробку прототипу детектора високоенергетичних часток для експерименту ALICE (CERN). . Виготовлені детектори порівнянні за параметрами з аналогічними зарубіжними детекторами, проте відрізняються меншою вартістю.
The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. The parameters of fabricated detectors are comparable with those of similar foreign detectors, but they are distinguished by lesser cost.
|
| first_indexed | 2025-11-26T20:00:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51846 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T20:00:21Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Перевертайло, В.Л. 2013-12-12T23:03:44Z 2013-12-12T23:03:44Z 2011 Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 17-24. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51846 539.1.074.5;621.382;621.039.7 Разработаны технология и конструкция прототипа датчика высокоэнергетических частиц для эксперимента ALICE. Детекторы удовлетворяют требованиям по основным электрофизическим параметрам и по радиационной стойкости. Розглянуто питання проектування, технології та виготовлення двосторонніх кремнієвих мікростріпових детекторів на стандартному обладнанні технологічної лінії в умовах серійного виробництва кремнієвих інтегральних схем. Представлено розробку прототипу детектора високоенергетичних часток для експерименту ALICE (CERN). . Виготовлені детектори порівнянні за параметрами з аналогічними зарубіжними детекторами, проте відрізняються меншою вартістю. The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. The parameters of fabricated detectors are comparable with those of similar foreign detectors, but they are distinguished by lesser cost. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы Технологія інтегральних двосторонніх кремнієвих мікростріпових детекторів Integrated double-sided silicon microstrip detectors Article published earlier |
| spellingShingle | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы Перевертайло, В.Л. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_alt | Технологія інтегральних двосторонніх кремнієвих мікростріпових детекторів Integrated double-sided silicon microstrip detectors |
| title_full | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_fullStr | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_full_unstemmed | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_short | Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_sort | интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51846 |
| work_keys_str_mv | AT perevertailovl integralʹnyedvuhstoronniekremnievyemikrostripovyedetektory AT perevertailovl tehnologíâíntegralʹnihdvostoronníhkremníêvihmíkrostrípovihdetektorív AT perevertailovl integrateddoublesidedsiliconmicrostripdetectors |