Гаркавенко, А. (2011). Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Гаркавенко, А.С. Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Гаркавенко, А.С. Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.