Гаркавенко, А. (2011). Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Гаркавенко, А.С. "Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Гаркавенко, А.С. "Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011.