Гаркавенко, А. (2011). Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Гаркавенко, А.С. "Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Гаркавенко, А.С. "Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011.