Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі мо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2011
1. Verfasser: Гаркавенко, А.С.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Schlagworte:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51848
record_format dspace
spelling Гаркавенко, А.С.
2013-12-12T23:09:32Z
2013-12-12T23:09:32Z
2011
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848
535.14:621.375.826
Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.
Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю.
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
Тонка структура спектрів лазерного випромінювання при електронному нагнітанні на основі радіаційно модифікованих оптично однорідних нелегованих кристалів GaAs
Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
spellingShingle Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
Гаркавенко, А.С.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_full Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_fullStr Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_full_unstemmed Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
title_sort тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов gaas
author Гаркавенко, А.С.
author_facet Гаркавенко, А.С.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2011
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Тонка структура спектрів лазерного випромінювання при електронному нагнітанні на основі радіаційно модифікованих оптично однорідних нелегованих кристалів GaAs
Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs
description Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю. The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848
citation_txt Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT garkavenkoas tonkaâstrukturaspektrovlazernogoizlučeniâpriélektronnoinakačkenaosnoveradiacionnomodificirovannyhoptičeskiodnorodnyhnelegirovannyhkristallovgaas
AT garkavenkoas tonkastrukturaspektrívlazernogovipromínûvannâprielektronnomunagnítannínaosnovíradíacíinomodifíkovanihoptičnoodnorídnihnelegovanihkristalívgaas
AT garkavenkoas finestructureoflaserspectrumatelectronbeampumpingbasedonradiationmodifiedopticallyhomogeneouscrystalsofundopedgaas
first_indexed 2025-12-01T04:26:03Z
last_indexed 2025-12-01T04:26:03Z
_version_ 1850859260067446784

Ähnliche Einträge