Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі мо...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862641264078356480 |
|---|---|
| author | Гаркавенко, А.С. |
| author_facet | Гаркавенко, А.С. |
| citation_txt | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.
Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю.
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
|
| first_indexed | 2025-12-01T04:26:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51848 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T04:26:03Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаркавенко, А.С. 2013-12-12T23:09:32Z 2013-12-12T23:09:32Z 2011 Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848 535.14:621.375.826 Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе радиационно модифицированных кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью. Досліджено вплив рівня збудження і температури на параметри випромінювання лазерів, с творених на основі модифікованих за допомогою радіаційних технологій кристалів GaAs n-типу з високою оптичною однорідністю. The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on p-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs Тонка структура спектрів лазерного випромінювання при електронному нагнітанні на основі радіаційно модифікованих оптично однорідних нелегованих кристалів GaAs Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs Гаркавенко, А.С. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_alt | Тонка структура спектрів лазерного випромінювання при електронному нагнітанні на основі радіаційно модифікованих оптично однорідних нелегованих кристалів GaAs Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs |
| title_full | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_fullStr | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_full_unstemmed | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_short | Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs |
| title_sort | тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов gaas |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51848 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas tonkaâstrukturaspektrovlazernogoizlučeniâpriélektronnoinakačkenaosnoveradiacionnomodificirovannyhoptičeskiodnorodnyhnelegirovannyhkristallovgaas AT garkavenkoas tonkastrukturaspektrívlazernogovipromínûvannâprielektronnomunagnítannínaosnovíradíacíinomodifíkovanihoptičnoodnorídnihnelegovanihkristalívgaas AT garkavenkoas finestructureoflaserspectrumatelectronbeampumpingbasedonradiationmodifiedopticallyhomogeneouscrystalsofundopedgaas |