Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Алиева, А.П., Алескеров, Ф.К., Кахраманов, С.Ш.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51849
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

В процессе роста и кристаллизации легирующих элементов в межслоевом пространстве кристалла образуются нанокомпозиты, вырастающие перпендикулярно базовой плоскости, что приводит к появлению новых электронных свойств кристалла. У процесі росту і кристалізації легуючих елементів у міжшаровому просторі кристала утворюються нанокомпозити, які виростають перпендикулярно до базової площини, що призводить до появи нових електронних властивостей кристала. Сформовані міжшарові наноструктурні елементи збільшують механічну міцність кристалів з високою термоелектричною добротністю. In the process of growth and crystallization of the alloying elements in the interlayer space of the crystal the nanocomposites are formed perpendicularly to the ground plane, which leads to new electronic properties of the crystal. Formed interlayer nanostructure elements increase the mechanical strength of crystals with high thermoelectric quality factor.