Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
В процессе роста и кристаллизации легирующих элементов в межслоевом пространстве кристалла образуются нанокомпозиты, вырастающие перпендикулярно базовой плоскости, что приводит к появлению новых электронных свойств кристалла. У процесі росту і кристалізації легуючих елементів у міжшаровому просторі...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51849 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51849 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. 2013-12-12T23:12:37Z 2013-12-12T23:12:37Z 2011 Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51849 621.382.001 В процессе роста и кристаллизации легирующих элементов в межслоевом пространстве кристалла образуются нанокомпозиты, вырастающие перпендикулярно базовой плоскости, что приводит к появлению новых электронных свойств кристалла. У процесі росту і кристалізації легуючих елементів у міжшаровому просторі кристала утворюються нанокомпозити, які виростають перпендикулярно до базової площини, що призводить до появи нових електронних властивостей кристала. Сформовані міжшарові наноструктурні елементи збільшують механічну міцність кристалів з високою термоелектричною добротністю. In the process of growth and crystallization of the alloying elements in the interlayer space of the crystal the nanocomposites are formed perpendicularly to the ground plane, which leads to new electronic properties of the crystal. Formed interlayer nanostructure elements increase the mechanical strength of crystals with high thermoelectric quality factor. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном Міжшарові домішкові нанокомпозити поверхні (0001) кристала Bi₂Te₃, легованого цинком та селеном Interlayer surface impurity nanocomposites of (0001) crystal Bi₂Te₃, alloyed with zinc and selenium Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном |
| spellingShingle |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Материалы электроники |
| title_short |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном |
| title_full |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном |
| title_fullStr |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном |
| title_full_unstemmed |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном |
| title_sort |
межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла bi₂te₃, легированного цинком и селеном |
| author |
Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. |
| author_facet |
Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Міжшарові домішкові нанокомпозити поверхні (0001) кристала Bi₂Te₃, легованого цинком та селеном Interlayer surface impurity nanocomposites of (0001) crystal Bi₂Te₃, alloyed with zinc and selenium |
| description |
В процессе роста и кристаллизации легирующих элементов в межслоевом пространстве кристалла образуются нанокомпозиты, вырастающие перпендикулярно базовой плоскости, что приводит к появлению новых электронных свойств кристалла.
У процесі росту і кристалізації легуючих елементів у міжшаровому просторі кристала утворюються нанокомпозити, які виростають перпендикулярно до базової площини, що призводить до появи нових електронних властивостей кристала. Сформовані міжшарові наноструктурні елементи збільшують механічну міцність кристалів з високою термоелектричною добротністю.
In the process of growth and crystallization of the alloying elements in the interlayer space of the crystal the nanocomposites are formed perpendicularly to the ground plane, which leads to new electronic properties of the crystal. Formed interlayer nanostructure elements increase the mechanical strength of crystals with high thermoelectric quality factor.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51849 |
| citation_txt |
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT alievaap mežsloevyeprimesnyenanokompozitypoverhnosti0001kristallabi2te3legirovannogocinkomiselenom AT aleskerovfk mežsloevyeprimesnyenanokompozitypoverhnosti0001kristallabi2te3legirovannogocinkomiselenom AT kahramanovsš mežsloevyeprimesnyenanokompozitypoverhnosti0001kristallabi2te3legirovannogocinkomiselenom AT alievaap mížšarovídomíškovínanokompozitipoverhní0001kristalabi2te3legovanogocinkomtaselenom AT aleskerovfk mížšarovídomíškovínanokompozitipoverhní0001kristalabi2te3legovanogocinkomtaselenom AT kahramanovsš mížšarovídomíškovínanokompozitipoverhní0001kristalabi2te3legovanogocinkomtaselenom AT alievaap interlayersurfaceimpuritynanocompositesof0001crystalbi2te3alloyedwithzincandselenium AT aleskerovfk interlayersurfaceimpuritynanocompositesof0001crystalbi2te3alloyedwithzincandselenium AT kahramanovsš interlayersurfaceimpuritynanocompositesof0001crystalbi2te3alloyedwithzincandselenium |
| first_indexed |
2025-12-07T15:25:28Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:25:28Z |
| _version_ |
1850863652657168384 |