Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2011
• Main Authors: Смынтына, В.А., Кулинич, О.А., Яцунский, И.Р., Свиридова, О.В., Марчук, И.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51851
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, О.В. Cвиридова, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 39-41. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних зерен. На підставі результатів дослідження процесів токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» з різною товщиною шару полікристалічного р-кремнію описано механізми токоперенесення через такі структури. Встановлено, що при збільшенні товщини шару полікристал ічного р-кремнію механізм токоперенесення змінюється від подвійного інжекційного до дрейфово-дифузійного механізму. Така зміна пов'язана із збільшенням дрейфової складової струму в зоні просторового заряду контакту «метал — р-кремній», що виникає внаслідок збільшення поверхневої щільності розсіюючих бар'єрів, локалізованих на границях сусідніх полікристалів кремнію. Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystal line p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals