Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних зерен. На підставі результатів дослі...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51851 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, О.В. Cвиридова, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 39-41. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862560324890132480 |
|---|---|
| author | Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Свиридова, О.В. Марчук, И.А. |
| author_facet | Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Свиридова, О.В. Марчук, И.А. |
| citation_txt | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, О.В. Cвиридова, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 39-41. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних зерен.
На підставі результатів дослідження процесів токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» з різною товщиною шару полікристалічного р-кремнію описано механізми токоперенесення через такі структури. Встановлено, що при збільшенні товщини шару полікристал ічного р-кремнію механізм токоперенесення змінюється від подвійного інжекційного до дрейфово-дифузійного механізму. Така зміна пов'язана із збільшенням дрейфової складової струму в зоні просторового заряду контакту «метал — р-кремній», що виникає внаслідок збільшення поверхневої щільності розсіюючих бар'єрів, локалізованих на границях сусідніх полікристалів кремнію.
Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystal line p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:07:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51851 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:07:04Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Свиридова, О.В. Марчук, И.А. 2013-12-12T23:18:57Z 2013-12-12T23:18:57Z 2011 Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, О.В. Cвиридова, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 39-41. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51851 537.311.33:622.382.33 Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних зерен. На підставі результатів дослідження процесів токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» з різною товщиною шару полікристалічного р-кремнію описано механізми токоперенесення через такі структури. Встановлено, що при збільшенні товщини шару полікристал ічного р-кремнію механізм токоперенесення змінюється від подвійного інжекційного до дрейфово-дифузійного механізму. Така зміна пов'язана із збільшенням дрейфової складової струму в зоні просторового заряду контакту «метал — р-кремній», що виникає внаслідок збільшення поверхневої щільності розсіюючих бар'єрів, локалізованих на границях сусідніх полікристалів кремнію. Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystal line p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» Вплив шару полі кристалічного кремнію на механізми токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» Influence of polycrystalline silicon layer on flow through «metal—p-Si» contact Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Свиридова, О.В. Марчук, И.А. Материалы электроники |
| title | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_alt | Вплив шару полі кристалічного кремнію на механізми токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» Influence of polycrystalline silicon layer on flow through «metal—p-Si» contact |
| title_full | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_fullStr | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_full_unstemmed | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_short | Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| title_sort | влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51851 |
| work_keys_str_mv | AT smyntynava vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnii AT kuliničoa vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnii AT âcunskiiir vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnii AT sviridovaov vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnii AT marčukia vliâniesloâpolikristalličeskogokremniânamehanizmytokoperenosavkontaktahmetallpkremnii AT smyntynava vplivšarupolíkristalíčnogokremníûnamehanízmitokoperenesennâvkontaktahmetalrkremníi AT kuliničoa vplivšarupolíkristalíčnogokremníûnamehanízmitokoperenesennâvkontaktahmetalrkremníi AT âcunskiiir vplivšarupolíkristalíčnogokremníûnamehanízmitokoperenesennâvkontaktahmetalrkremníi AT sviridovaov vplivšarupolíkristalíčnogokremníûnamehanízmitokoperenesennâvkontaktahmetalrkremníi AT marčukia vplivšarupolíkristalíčnogokremníûnamehanízmitokoperenesennâvkontaktahmetalrkremníi AT smyntynava influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT kuliničoa influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT âcunskiiir influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT sviridovaov influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact AT marčukia influenceofpolycrystallinesiliconlayeronflowthroughmetalpsicontact |