Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» - Смынтына, В.А.; Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Свиридова, О.В.; Марчук, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих барьеров, локализованных на границах соседних зерен. На підставі результатів дослідження процесів токоперенесення в контактах «метал — р-кремній» з різною товщиною шару полікристалічного р-кремнію описано механізми токоперенесення через такі структури. Встановлено, що при збільшенні товщини шару полікристал ічного р-кремнію механізм токоперенесення змінюється від подвійного інжекційного до дрейфово-дифузійного механізму. Така зміна пов'язана із збільшенням дрейфової складової струму в зоні просторового заряду контакту «метал — р-кремній», що виникає внаслідок збільшення поверхневої щільності розсіюючих бар'єрів, локалізованих на границях сусідніх полікристалів кремнію. Based on the results of investigations of charge transport in the "metal — p-Si" contacts with different thickness of polycrystal line p-Si layer the mechanisms of charge transport through such structures are shown. It is established that with increasing thickness of the layer of polycrystalline p-Si current transport mechanism changes from a double injection into the drift-diffusion. This change is due to an increase in the drift current component in the space charge zone of "metal — p-Si" contact, which arises as a result of increased surface density of scattering barriers, which are localized at the boundaries of neighboring silicon polycrystals