Зображення обкладинки

Модель алмазного транзистора

Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. Розроблено модель плавного затвору, яка досить добре описує роботу польового а...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2011
Автори:	Алтухов, А.А., Зяблюк, К.Н., Митягин, А.Ю., Талипов, Н.Х., Чучева, Г.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51860
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Модель алмазного транзистора / А.А. Алтухов, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 13-19. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
за авторством: Семенов, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2007)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Форш, П.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
за авторством: Назарько, А.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)