Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
Разработана гибридная интегральная схема с номинальным напряжением питания 1,4 В, током потребления 0,7 мА и габаритными размерами 8x4x3 мм для обработки звукового сигнала в автономной аппаратуре. Розроблена гібридна інтегральна схема з номінальною напругою живлення 1,4 В, струмом споживання 0,7 мА...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Ковальчук, В.А., Севастьянов, В.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51861 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала / В.А. Ковальчук, В.В. Севастьянов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)
Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2007)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005) -
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009) -
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007) -
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)