Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Павлович, И.И., Томашик, З.Ф., Томашик, В.Н., Стратийчук, И.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51863
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr / И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 27-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов. Розроблено поліруючі травители і надано рекомендації щодо їх застосування для обробки напівпровідникових матеріалів, які використовуються для виготовлення робочих елементів термоелектричних приладів. The polishing etchants were developed and recommendations were given as to their use for processing of semiconductor materials which are used for the manufacture of work items of thermoelectric devices.