Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Павлович, И.И., Томашик, З.Ф., Томашик, В.Н., Стратийчук, И.Б.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51863
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr / И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 27-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов. Розроблено поліруючі травители і надано рекомендації щодо їх застосування для обробки напівпровідникових матеріалів, які використовуються для виготовлення робочих елементів термоелектричних приладів. The polishing etchants were developed and recommendations were given as to their use for processing of semiconductor materials which are used for the manufacture of work items of thermoelectric devices.