Buchumschlag

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr

Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов. Розроблено поліруючі травители і надано рекомендації щодо їх застосування для обробки напівпровіднико...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Павлович, И.И., Томашик, З.Ф., Томашик, В.Н., Стратийчук, И.Б.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51863
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr / И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 27-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr
von: Маланич, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
von: Левченко, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Подкамень, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Кудрик, Я.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)