Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Попов, В.М., Клименко, А.С., Поканевич, А.П., Самотовка, В.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51864
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, В.Л. Самотовка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 30-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Метод основан на использовании визуального отображения в поляризационном микроскопе локально нагретых областей в пленке холестерического жидкого кристалла на поверхности кристалла интегральной схемы. Запропоновано метод візуального відображення температури поверхні кристала інтегральної схеми (ІС) в плівці холестеричного рідкого кристала, осадженій на поверхню із розчину. Границі локальних областей є ізотермами з температурами відповідних фазових переходів. По положенню ізотерм і потужності, яку споживає кристал ІС, визначаються теплові опори між поверхнею і середовищем. Method for visualization of integrated circuit (IC) surface temperature by means of the liquid crystal film deposited from solution on its surface is proposed. The boundaries of local regions represent isotherms with corresponding phase transitions. On the base of isotherms positions and consumed by IC power thermal resistances between crystal and environment are determined.