Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
Метод основан на использовании визуального отображения в поляризационном микроскопе локально нагретых областей в пленке холестерического жидкого кристалла на поверхности кристалла интегральной схемы. Запропоновано метод візуального відображення температури поверхні кристала інтегральної схеми (ІС) в...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51864 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, В.Л. Самотовка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 30-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862631903174066176 |
|---|---|
| author | Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Самотовка, В.Л. |
| author_facet | Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Самотовка, В.Л. |
| citation_txt | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, В.Л. Самотовка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 30-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Метод основан на использовании визуального отображения в поляризационном микроскопе локально нагретых областей в пленке холестерического жидкого кристалла на поверхности кристалла интегральной схемы.
Запропоновано метод візуального відображення температури поверхні кристала інтегральної схеми (ІС) в плівці холестеричного рідкого кристала, осадженій на поверхню із розчину. Границі локальних областей є ізотермами з температурами відповідних фазових переходів. По положенню ізотерм і потужності, яку споживає кристал ІС, визначаються теплові опори між поверхнею і середовищем.
Method for visualization of integrated circuit (IC) surface temperature by means of the liquid crystal film deposited from solution on its surface is proposed. The boundaries of local regions represent isotherms with corresponding phase transitions. On the base of isotherms positions and consumed by IC power thermal resistances between crystal and environment are determined.
|
| first_indexed | 2025-11-30T11:58:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51864 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T11:58:31Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Самотовка, В.Л. 2013-12-14T01:11:54Z 2013-12-14T01:11:54Z 2011 Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, В.Л. Самотовка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 30-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51864 621-382 Метод основан на использовании визуального отображения в поляризационном микроскопе локально нагретых областей в пленке холестерического жидкого кристалла на поверхности кристалла интегральной схемы. Запропоновано метод візуального відображення температури поверхні кристала інтегральної схеми (ІС) в плівці холестеричного рідкого кристала, осадженій на поверхню із розчину. Границі локальних областей є ізотермами з температурами відповідних фазових переходів. По положенню ізотерм і потужності, яку споживає кристал ІС, визначаються теплові опори між поверхнею і середовищем. Method for visualization of integrated circuit (IC) surface temperature by means of the liquid crystal film deposited from solution on its surface is proposed. The boundaries of local regions represent isotherms with corresponding phase transitions. On the base of isotherms positions and consumed by IC power thermal resistances between crystal and environment are determined. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы Метод визначення температури та теплового опору точок поверхні кристала інтегральної схеми Method of determination of temperature and heat resistance of the points on the integrated circuit crystal surface Article published earlier |
| spellingShingle | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Самотовка, В.Л. Технологические процессы и оборудование |
| title | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы |
| title_alt | Метод визначення температури та теплового опору точок поверхні кристала інтегральної схеми Method of determination of temperature and heat resistance of the points on the integrated circuit crystal surface |
| title_full | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы |
| title_fullStr | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы |
| title_full_unstemmed | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы |
| title_short | Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы |
| title_sort | метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51864 |
| work_keys_str_mv | AT popovvm metodopredeleniâtemperaturyiteplovogosoprotivleniâtočekpoverhnostikristallaintegralʹnoishemy AT klimenkoas metodopredeleniâtemperaturyiteplovogosoprotivleniâtočekpoverhnostikristallaintegralʹnoishemy AT pokanevičap metodopredeleniâtemperaturyiteplovogosoprotivleniâtočekpoverhnostikristallaintegralʹnoishemy AT samotovkavl metodopredeleniâtemperaturyiteplovogosoprotivleniâtočekpoverhnostikristallaintegralʹnoishemy AT popovvm metodviznačennâtemperaturitateplovogooporutočokpoverhníkristalaíntegralʹnoíshemi AT klimenkoas metodviznačennâtemperaturitateplovogooporutočokpoverhníkristalaíntegralʹnoíshemi AT pokanevičap metodviznačennâtemperaturitateplovogooporutočokpoverhníkristalaíntegralʹnoíshemi AT samotovkavl metodviznačennâtemperaturitateplovogooporutočokpoverhníkristalaíntegralʹnoíshemi AT popovvm methodofdeterminationoftemperatureandheatresistanceofthepointsontheintegratedcircuitcrystalsurface AT klimenkoas methodofdeterminationoftemperatureandheatresistanceofthepointsontheintegratedcircuitcrystalsurface AT pokanevičap methodofdeterminationoftemperatureandheatresistanceofthepointsontheintegratedcircuitcrystalsurface AT samotovkavl methodofdeterminationoftemperatureandheatresistanceofthepointsontheintegratedcircuitcrystalsurface |