Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
Показано, что отжиг сегнетокерамики при критической температуре Ткр, которая ниже точки Кюри, приводит к разупорядочению доменной структуры, в результате чего происходит резкое снижение пьезоэлектрических свойств материала. Показано, що відпал при критичній температурі Ткр, яка нижче точки Кюрі, при...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51866 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃ / Д.В. Кузенко, А.И. Бажин, В.А. Ступак, Н.Г. Кисель, В.В. Дорофеева, И.Н. Старшинов, А.Е. Покинтелица // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 40-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Показано, что отжиг сегнетокерамики при критической температуре Ткр, которая ниже точки Кюри, приводит к разупорядочению доменной структуры, в результате чего происходит резкое снижение пьезоэлектрических свойств материала.
Показано, що відпал при критичній температурі Ткр, яка нижче точки Кюрі, призводить до розупорядкування доменної структури, в результаті чого відбувається різке зниження п'єзоелектричних властивостей. Проведено оцінку енергії піннінга доменних стінок на дефектах структури.
It is shown that annealing at the critical temperature Tcr, which is below the Curie point, leads to disordering of the domain structure, resulting in a sharp decrease in the piezoelectric properties. This behavior is explained by the different response to temperature change of lattice polarization and of polarization conditioned by the presence of domain structure. The estimation of the energy of domain walls pinning on structural defects is given.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |