Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Кузенко, Д.В., Бажин, А.И., Ступак, В.А., Кисель, Н.Г., Дорофеева, В.В., Старшинов, И.Н., Покинтелица, А.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51866
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃ / Д.В. Кузенко, А.И. Бажин, В.А. Ступак, Н.Г. Кисель, В.В. Дорофеева, И.Н. Старшинов, А.Е. Покинтелица // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 40-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Показано, что отжиг сегнетокерамики при критической температуре Ткр, которая ниже точки Кюри, приводит к разупорядочению доменной структуры, в результате чего происходит резкое снижение пьезоэлектрических свойств материала. Показано, що відпал при критичній температурі Ткр, яка нижче точки Кюрі, призводить до розупорядкування доменної структури, в результаті чого відбувається різке зниження п'єзоелектричних властивостей. Проведено оцінку енергії піннінга доменних стінок на дефектах структури. It is shown that annealing at the critical temperature Tcr, which is below the Curie point, leads to disordering of the domain structure, resulting in a sharp decrease in the piezoelectric properties. This behavior is explained by the different response to temperature change of lattice polarization and of polarization conditioned by the presence of domain structure. The estimation of the energy of domain walls pinning on structural defects is given.