Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каримов, А.А., Асанова, Г.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51867
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-n переходу від імпульсної потужності наближається до експоненційної, що збільшує витримувану потужність. Так, наприклад, для заданої температури перегріву зменшення товщини базової області від 500 до 250 мкм дозволяє значно (до 30%) підвищити допустиму потужність діодної структури. The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p⁺–p–n⁺-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p⁺–p–n⁺-structure by 30%.