Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51867 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51867 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. 2013-12-14T01:22:21Z 2013-12-14T01:22:21Z 2011 Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51867 621.315.592.2:546.681''19 Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-n переходу від імпульсної потужності наближається до експоненційної, що збільшує витримувану потужність. Так, наприклад, для заданої температури перегріву зменшення товщини базової області від 500 до 250 мкм дозволяє значно (до 30%) підвищити допустиму потужність діодної структури. The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p⁺–p–n⁺-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p⁺–p–n⁺-structure by 30%. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры Дослідження допустимої імпульсної потужності кремнієвої p⁺–p–n⁺-структури Research of the tolerable pulsed power of silicon p⁺–p–n⁺-structure Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| spellingShingle |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. Материалы электроники |
| title_short |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_full |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_fullStr |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_full_unstemmed |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_sort |
исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження допустимої імпульсної потужності кремнієвої p⁺–p–n⁺-структури Research of the tolerable pulsed power of silicon p⁺–p–n⁺-structure |
| description |
Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса.
Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-n переходу від імпульсної потужності наближається до експоненційної, що збільшує витримувану потужність. Так, наприклад, для заданої температури перегріву зменшення товщини базової області від 500 до 250 мкм дозволяє значно (до 30%) підвищити допустиму потужність діодної структури.
The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p⁺–p–n⁺-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p⁺–p–n⁺-structure by 30%.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51867 |
| citation_txt |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav issledovaniedopustimoiimpulʹsnoimoŝnostikremnievoippnstruktury AT edgorovadm issledovaniedopustimoiimpulʹsnoimoŝnostikremnievoippnstruktury AT abdulhaevoa issledovaniedopustimoiimpulʹsnoimoŝnostikremnievoippnstruktury AT karimovaa issledovaniedopustimoiimpulʹsnoimoŝnostikremnievoippnstruktury AT asanovago issledovaniedopustimoiimpulʹsnoimoŝnostikremnievoippnstruktury AT karimovav doslídžennâdopustimoíímpulʹsnoípotužnostíkremníêvoíppnstrukturi AT edgorovadm doslídžennâdopustimoíímpulʹsnoípotužnostíkremníêvoíppnstrukturi AT abdulhaevoa doslídžennâdopustimoíímpulʹsnoípotužnostíkremníêvoíppnstrukturi AT karimovaa doslídžennâdopustimoíímpulʹsnoípotužnostíkremníêvoíppnstrukturi AT asanovago doslídžennâdopustimoíímpulʹsnoípotužnostíkremníêvoíppnstrukturi AT karimovav researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT edgorovadm researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT abdulhaevoa researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT karimovaa researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure AT asanovago researchofthetolerablepulsedpowerofsiliconppnstructure |
| first_indexed |
2025-12-07T18:18:51Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:18:51Z |
| _version_ |
1850874560754221056 |