Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2011
• Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каримов, А.А., Асанова, Г.О.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51867
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-...