Buchumschlag

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каримов, А.А., Асанова, Г.О.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51867
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
von: Каримов, Ш.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Гасанов, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

3D-нанокомпозиты — опаловые матрицы с включениями металлического Со и слоистые структуры «опаловая матрица — Co/Ir»
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оценка максимально допустимой активности упаковок с высокоактивными отходами
von: Батий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование релаксационных процессов в сегнетокерамике
von: Тиллес, В.Ф.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Gasanov, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Синтез и исследование нанопорошков ферромолибдата стронция с высокой степенью сверхструктурного упорядочения для спинтроники
von: Ярмолич, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)