Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы - Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Кутраков, А.П.; Лях-Кагуй, Н.С.; Маслюк, В.Т.; Мегела, И.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах.