Buchumschlag

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Кутраков, А.П., Лях-Кагуй, Н.С., Маслюк, В.Т., Мегела, И.Г.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51887
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, В.Т. Маслюк, И.Г. Мегела // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование функций преобразования и чувствительности радиоизмерительного преобразователя давления
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Датчик скорости газового потока
von: Годованюк, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оптико-электронный метод избыточных измерений давления: особенности реализации
von: Кондратов, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
von: Малкин, Э.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)

Вихретоковый анизотропный термоэлектрический первичный преобразователь лучистого потока
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2005)

Электротепловой элемент сенсоров газа
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)

Датчик давления с тензочувствительным преобразователем на поверхностных акустических волнах
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2004)