Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Кутраков, А.П., Лях-Кагуй, Н.С., Маслюк, В.Т., Мегела, И.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51887
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, В.Т. Маслюк, И.Г. Мегела // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах....