Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862740175430352896 |
|---|---|
| author | Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. |
| author_facet | Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. |
| citation_txt | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:12:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51890 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:12:45Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. 2013-12-14T21:37:44Z 2013-12-14T21:37:44Z 2010 Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890 С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур Article published earlier |
| spellingShingle | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_full | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_fullStr | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_full_unstemmed | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_short | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_sort | ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890 |
| work_keys_str_mv | AT popovvm rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur AT klimenkoas rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur AT pokanevičap rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur AT šustovûm rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur |