Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51890 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. 2013-12-14T21:37:44Z 2013-12-14T21:37:44Z 2010 Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890 С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| spellingShingle |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_full |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_fullStr |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_full_unstemmed |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| title_sort |
ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур |
| author |
Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. |
| author_facet |
Попов, В.М. Клименко, А.С. Поканевич, А.П. Шустов, Ю.М. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890 |
| citation_txt |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT popovvm rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur AT klimenkoas rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur AT pokanevičap rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur AT šustovûm rtutnyimikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvoistvpoluprovodnikovyhstruktur |
| first_indexed |
2025-12-07T20:12:45Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:12:45Z |
| _version_ |
1850881726439489536 |