Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2010
• ISSN: 2225-5818
• Main Authors: Попов, В.М., Клименко, А.С., Поканевич, А.П., Шустов, Ю.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51890
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм....