Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Перевертайло, В.Л., Добровольский, Ю.Г., Попов, В.М., Поканевич, А.П., Мацкевич, В.М., Рыжиков, В.Д., Шабашкевич, Б.Г., Юрьев, В.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Техническая политика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51903
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка / В.Л. Перевертайло, Ю.Г. Добровольский, В.М. Попов, А.П. Поканевич, В.М. Мацкевич, В.Д. Рыжиков, Б.Г. Шабашкевич, В.Г. Юрьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 17-21. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Исследования электрофизических и фотоэлектрических характеристик разработанных фотодиодов Шоттки на основе Nі.ZnSe(Te,O)-Іn показали, что они могут быть применены в приборах для радиометрии и дозиметрии УФ-излучения....