Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51906 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862590645073346560 |
|---|---|
| author | Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. |
| author_facet | Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. |
| citation_txt | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.
|
| first_indexed | 2025-11-27T05:23:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51906 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T05:23:35Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. 2013-12-15T22:25:13Z 2013-12-15T22:25:13Z 2010 Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51906 Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии Отримання арсенід-галієвих структур силових біполярних і польових транзисторів методом газофазної епітаксії Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method Article published earlier |
| spellingShingle | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. Сенсоэлектроника |
| title | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_alt | Отримання арсенід-галієвих структур силових біполярних і польових транзисторів методом газофазної епітаксії Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method |
| title_full | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_fullStr | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_short | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_sort | получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51906 |
| work_keys_str_mv | AT voroninva polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznoiépitaksii AT gubask polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznoiépitaksii AT kuriloiv polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznoiépitaksii AT voroninva otrimannâarsenídgalíêvihstruktursilovihbípolârnihípolʹovihtranzistorívmetodomgazofaznoíepítaksíí AT gubask otrimannâarsenídgalíêvihstruktursilovihbípolârnihípolʹovihtranzistorívmetodomgazofaznoíepítaksíí AT kuriloiv otrimannâarsenídgalíêvihstruktursilovihbípolârnihípolʹovihtranzistorívmetodomgazofaznoíepítaksíí AT voroninva producingofpovergaasstructuresofbipolarandfieldeffecttransistorbycvdmethod AT gubask producingofpovergaasstructuresofbipolarandfieldeffecttransistorbycvdmethod AT kuriloiv producingofpovergaasstructuresofbipolarandfieldeffecttransistorbycvdmethod |