Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии - Воронин, В.А.; Губа, С.К.; Курило, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.