Buchumschlag

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Воронин, В.А., Губа, С.К., Курило, И.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51906
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Павлюченко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
von: Кутова, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
von: Павлюченко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов: теория, технология, практика
von: Дзядевич, С.В.
Veröffentlicht: (2004)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Кукла, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Pavluchenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Дифференциальный термометр с высокой разрешающей способностью
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Решение задачи газового демпфирования чувствительных элементов микроэлектронных акселерометров
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2005)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Оперативный контроль состояния акустических сенсорных сетей
von: Болтенков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Автотрассовый газоанализатор
von: Девятко, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Расчет коэффициента преобразования кондуктометрического датчика биосенсора
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Физический принцип преобразования флуктуаций в датчиках
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Трехпараметрический генераторный датчик
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Статические погрешности измерителя углового ускорения и методы их устранения
von: Лопушенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Приборно-технологическое моделирование магниточувствительного сенсора с интегрированным магнитым концентратором
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электротепловой элемент сенсоров газа
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)