Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
Предложен новый физический метод пассивации Cd1-xZnxTe-детекторов, существенно уменьшающий поверхностные токи утечки таких детекторов.
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| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | Загоруйко, Ю.А., Христьян, В.А., Федоренко, О.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51912 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов / Ю.А. Загоруйко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 56-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
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