Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• 1. Verfasser: Гаркавенко, А.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Электронные средства: исследования, разработки
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51949
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 21-24. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментального исследования предсказанного ранее теоретически экситонно-плазменного фазового перехода Мотта. Получено убедительное доказательство его реального существования. На особливо чистих оптично однорідних монокристалах CdS виміряно залежність часу життя спонтанного випромінювання τ від рівня збудження (концентрації нерівноважних носіїв заряду ΔN). Результати цього експерименту підтверджують раніше передбачений теоретично екситонно-плазмовий фазовий перехід Мотта. На це вказують також отримані в даній роботі результати спектральних досліджень фотолюмінесценції збуджених кристалів. The dependence has been measured for the spontaneous radiation τ average life from the excitation level (nonequilibrium charge ΔN carrirers concentration) on particularly clear optically homogeneous monocrystals. Results of the experiment confirm earlier theoretically predicted so called Mott exciton-plasma phase transition. It¢s also indicated by results for spectral research of excited crystals photolumi-nescence obtained in this work.