Вакив, Н., Круковский, С., Заячук, Д., Михащук, Ю., & Круковский, Р. (2010). Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Вакив, Н.М, С.И Круковский, Д.М Заячук, Ю.С Михащук, та Р.С Круковский. "Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Вакив, Н.М, et al. "Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.