Вакив, Н., Круковский, С., Заячук, Д., Михащук, Ю., & Круковский, Р. (2010). Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Вакив, Н.М, С.И Круковский, Д.М Заячук, Ю.С Михащук, und Р.С Круковский. "Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2010.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Вакив, Н.М, et al. "Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.