Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами. Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність оч...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51954 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862575516399173632 |
|---|---|
| author | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. |
| author_facet | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. |
| citation_txt | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами.
Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність очистки від фонових домішок епітаксійних шарів InP, отриманих рідиннофазною епітаксією, що приводить до збільшення їх структурної досконалості. При оптимальній кількості Yb та Al в розплав концентрація електронів в шарах зменшується, а їх рух ливість зростає. Розроблена технологія може бути вико ристана для виготовлення структур для діодів Ганна, фотоприймачів та інших оптоелектронних приладів.
It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquidphase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices.
|
| first_indexed | 2025-11-26T12:30:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51954 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T12:30:52Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. 2013-12-20T21:11:25Z 2013-12-20T21:11:25Z 2010 Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51954 Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами. Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність очистки від фонових домішок епітаксійних шарів InP, отриманих рідиннофазною епітаксією, що приводить до збільшення їх структурної досконалості. При оптимальній кількості Yb та Al в розплав концентрація електронів в шарах зменшується, а їх рух ливість зростає. Розроблена технологія може бути вико ристана для виготовлення структур для діодів Ганна, фотоприймачів та інших оптоелектронних приладів. It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquidphase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна Одержання активних шарів InP у складі гетероструктур для діодів Ганна Obtaining of high-quality InP active layers in geterostructure's composition for Gunn diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Заячук, Д.М. Михащук, Ю.С Круковский, Р.С. Технологические процессы и оборудование |
| title | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_alt | Одержання активних шарів InP у складі гетероструктур для діодів Ганна Obtaining of high-quality InP active layers in geterostructure's composition for Gunn diodes |
| title_full | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_fullStr | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_full_unstemmed | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_short | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна |
| title_sort | получение активных слоев inp в составе гетероструктур для диодов ганна |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51954 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT krukovskiisi polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT zaâčukdm polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT mihaŝukûs polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT krukovskiirs polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna AT vakivnm oderžannâaktivnihšarívinpuskladígeterostrukturdlâdíodívganna AT krukovskiisi oderžannâaktivnihšarívinpuskladígeterostrukturdlâdíodívganna AT zaâčukdm oderžannâaktivnihšarívinpuskladígeterostrukturdlâdíodívganna AT mihaŝukûs oderžannâaktivnihšarívinpuskladígeterostrukturdlâdíodívganna AT krukovskiirs oderžannâaktivnihšarívinpuskladígeterostrukturdlâdíodívganna AT vakivnm obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes AT krukovskiisi obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes AT zaâčukdm obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes AT mihaŝukûs obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes AT krukovskiirs obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes |