Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2010
• Main Authors: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Заячук, Д.М., Михащук, Ю.С, Круковский, Р.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51954
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами. Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність оч...