Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами. Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність оч...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51954 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (1998)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)
Ультразвуковая очистка оптико-механических систем
за авторством: Томаль, В.С.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Томаль, В.С.
Опубліковано: (2007)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)