Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Попов, В.М., Клименко, А.С., Поканевич, А.П., Шустов, Ю.М., Гаврилюк, И.И., Панин, А.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51967
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов, И.И. Гаврилюк, А.И. Панин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 43-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Исследованы электрически активные дефекты с локально повышенной проводимостью p-n-перехода и световой эмиссией. Показано, что по их концентрации можно контролировать качество солнечных батарей в процессе изготовления. Представлено результати досліджень електрично активних дефектів на поверхні пластин сонячних батарей, які характеризуються підвищеною провідністю p-n-перехода та світловою емісією у видимий області спектру. Вивчено електричні та фізико-хімічні властивості дефектів. Встановлено локально підвищену концентрацію алюмінію в області дефектів. Визначено підвищену щільність дефектів на краях пластин сонячних батарей. Показано можливість контролю якості сонячних батарей по аналізу концентрації світловипромінюючих дефектів в процесі виготовлення приладів.ѕ The results of investigation of electrically active defects on the solar cell surface are presented. Defects are characterized by high local conductivity of p-n-junctions and visible light emission. Electrical, physical and chemical properties of defects have been studied. Increased local concentration of aluminium in the defect regions was revealed. High density of defects has been determined at the edges of solar cell wafers. Possibility of solar cells quality control by registration of light emissive defect concentration during technological processes has been shown.