Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

• Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2010
• ISSN: 2225-5818
• Автори: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51969
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов. Запропоновано простий метод визначення концентрації глибоких центрів поблизу межі «плівка-підкладка». Метод оснований на визначенні збільшення ширини провідного каналу під дією домішкового освітлення за зсувом точки перегину вольт-фарадної характеристики. Вірогідність методу підтверджено вимірюваннями концентрації незаповнених глибоких центрів в арсенід-галієвих пластинах з буферним шаром і без нього.ѕ A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film-substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point in the capacitance-voltage curve. The reliability of the method is confirmed by measurement of the concentration of vacant deep traps in GaAs wafers with and without a buffer layer.