Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов. Запропоновано простий метод визначення концентрації глибоких цент...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51969 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51969 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. 2013-12-21T01:12:07Z 2013-12-21T01:12:07Z 2010 Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51969 Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов. Запропоновано простий метод визначення концентрації глибоких центрів поблизу межі «плівка-підкладка». Метод оснований на визначенні збільшення ширини провідного каналу під дією домішкового освітлення за зсувом точки перегину вольт-фарадної характеристики. Вірогідність методу підтверджено вимірюваннями концентрації незаповнених глибоких центрів в арсенід-галієвих пластинах з буферним шаром і без нього.ѕ A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film-substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point in the capacitance-voltage curve. The reliability of the method is confirmed by measurement of the concentration of vacant deep traps in GaAs wafers with and without a buffer layer. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Діагностика глибоких центрів на межі «плівка-підкладка» у тонкоплівкових епітаксіальних структурах GaAs Deep trap diagnostics at the film-substrate interface in GaAs thin-film epitaxial structures Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| spellingShingle |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Материалы электроники |
| title_short |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_fullStr |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full_unstemmed |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_sort |
диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах gaas |
| author |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_facet |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Діагностика глибоких центрів на межі «плівка-підкладка» у тонкоплівкових епітаксіальних структурах GaAs Deep trap diagnostics at the film-substrate interface in GaAs thin-film epitaxial structures |
| description |
Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов.
Запропоновано простий метод визначення концентрації глибоких центрів поблизу межі «плівка-підкладка». Метод оснований на визначенні збільшення ширини провідного каналу під дією домішкового освітлення за зсувом точки перегину вольт-фарадної характеристики. Вірогідність методу підтверджено вимірюваннями концентрації незаповнених глибоких центрів в арсенід-галієвих пластинах з буферним шаром і без нього.ѕ
A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film-substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point in the capacitance-voltage curve. The reliability of the method is confirmed by measurement of the concentration of vacant deep traps in GaAs wafers with and without a buffer layer.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51969 |
| citation_txt |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gorevnb diagnostikaglubokihcentrovnagraniceplenkapodložkavtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT kodžespirovaif diagnostikaglubokihcentrovnagraniceplenkapodložkavtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT privaloven diagnostikaglubokihcentrovnagraniceplenkapodložkavtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT gorevnb díagnostikaglibokihcentrívnamežíplívkapídkladkautonkoplívkovihepítaksíalʹnihstrukturahgaas AT kodžespirovaif díagnostikaglibokihcentrívnamežíplívkapídkladkautonkoplívkovihepítaksíalʹnihstrukturahgaas AT privaloven díagnostikaglibokihcentrívnamežíplívkapídkladkautonkoplívkovihepítaksíalʹnihstrukturahgaas AT gorevnb deeptrapdiagnosticsatthefilmsubstrateinterfaceingaasthinfilmepitaxialstructures AT kodžespirovaif deeptrapdiagnosticsatthefilmsubstrateinterfaceingaasthinfilmepitaxialstructures AT privaloven deeptrapdiagnosticsatthefilmsubstrateinterfaceingaasthinfilmepitaxialstructures |
| first_indexed |
2025-12-07T15:38:16Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:38:16Z |
| _version_ |
1850864457693003776 |