Buchumschlag

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов. Запропоновано простий метод визначення концентрації глибоких цент...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2010
Hauptverfasser: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:
Материалы электроники
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51969
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge