Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов. Запропоновано простий метод визначення концентрації глибоких цент...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51969 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
за авторством: Матюшин, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Матюшин, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Реализация волноводных сенсоров на тонкопленочных структурах нанопористый анодный оксид алюминия – алюминий
за авторством: Лебедева, Т.С., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лебедева, Т.С., та інші
Опубліковано: (2015)
Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
за авторством: Онищук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Онищук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)
Радиографическая пленка фирмы KODAK типа INDUSTREX СХ
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
за авторством: Штапенко, Э.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Штапенко, Э.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005)
Резонансные свойства датчика перемещений на основе цилиндрического коаксиального СВЧ резонатора со ступенчатой формой внутреннего проводника
за авторством: Дробахин, О.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дробахин, О.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Оценка производственных погрешностей тонкопленочных элементов
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2004)
Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lougin, A. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Lougin, A. N., та інші
Опубліковано: (2006)
Молекулярная модель и химическая связь теллура
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)
Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Соловьев, О.В., та інші
Опубліковано: (2005)