Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2010
• Main Authors: Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Раевская, Н.С., Беляев, А.Е., Бобыль, А.В., Конакова, Р.В., Кудрик, Я.Я., Миленин, В.В., Новицкий, С.В., Шеремет В.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Subjects: Новые компоненты для электронной аппаратуры
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51975
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии. Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після швидкоїѕтермічної обробки та вихідні параметри діодів Ганна, виготовлених на основі структури InP з контактною металізацією Au-TiBx-Au-Ge, в діапазоні температури -40...+60°С. Показано, що омічний контакт до шару InPѕ формується внаслідок дифузії атомів Ge і Au вглиб шару, а вихідні параметри діодів Ганна з такими катодними контактами відповідають параметрам діодів Ганна, які отримано за складнішою технологією. The article presents the research on interactions between phases in the Ge-Au, Ge-TiBx and Au-TiBx-Au contacts to n-n⁺-n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au-TiBx-Au-Ge contact metallization in the -40...+60°С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer . The output parameters of Gunn diodes with Au-TiBx-Au-Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology.