Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии. Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2010
Main Authors: Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Раевская, Н.С., Беляев, А.Е., Бобыль, А.В., Конакова, Р.В., Кудрик, Я.Я., Миленин, В.В., Новицкий, С.В., Шеремет В.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51975
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862652540511846400
author Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Ковтонюк, В.М.
Раевская, Н.С.
Беляев, А.Е.
Бобыль, А.В.
Конакова, Р.В.
Кудрик, Я.Я.
Миленин, В.В.
Новицкий, С.В.
Шеремет В.Н.
author_facet Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Ковтонюк, В.М.
Раевская, Н.С.
Беляев, А.Е.
Бобыль, А.В.
Конакова, Р.В.
Кудрик, Я.Я.
Миленин, В.В.
Новицкий, С.В.
Шеремет В.Н.
citation_txt Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии. Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після швидкоїѕтермічної обробки та вихідні параметри діодів Ганна, виготовлених на основі структури InP з контактною металізацією Au-TiBx-Au-Ge, в діапазоні температури -40...+60°С. Показано, що омічний контакт до шару InPѕ формується внаслідок дифузії атомів Ge і Au вглиб шару, а вихідні параметри діодів Ганна з такими катодними контактами відповідають параметрам діодів Ганна, які отримано за складнішою технологією. The article presents the research on interactions between phases in the Ge-Au, Ge-TiBx and Au-TiBx-Au contacts to n-n⁺-n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au-TiBx-Au-Ge contact metallization in the -40...+60°С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer . The output parameters of Gunn diodes with Au-TiBx-Au-Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology.
first_indexed 2025-12-01T21:08:54Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51975
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-01T21:08:54Z
publishDate 2010
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Ковтонюк, В.М.
Раевская, Н.С.
Беляев, А.Е.
Бобыль, А.В.
Конакова, Р.В.
Кудрик, Я.Я.
Миленин, В.В.
Новицкий, С.В.
Шеремет В.Н.
2013-12-22T00:20:58Z
2013-12-22T00:20:58Z
2010
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51975
Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.
Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після швидкоїѕтермічної обробки та вихідні параметри діодів Ганна, виготовлених на основі структури InP з контактною металізацією Au-TiBx-Au-Ge, в діапазоні температури -40...+60°С. Показано, що омічний контакт до шару InPѕ формується внаслідок дифузії атомів Ge і Au вглиб шару, а вихідні параметри діодів Ганна з такими катодними контактами відповідають параметрам діодів Ганна, які отримано за складнішою технологією.
The article presents the research on interactions between phases in the Ge-Au, Ge-TiBx and Au-TiBx-Au contacts to n-n⁺-n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au-TiBx-Au-Ge contact metallization in the -40...+60°С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer . The output parameters of Gunn diodes with Au-TiBx-Au-Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Новые компоненты для электронной аппаратуры
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
Діоди Ганна з InP з катодним контактом, що інжектує гарячі електрони. Частина 1. Міжфазні взаємодії в катодних контактах
InP Gunn diodes with a cathode contact injecting hot electrons. Part 1. Interactions between phases in the cathode contacts
Article
published earlier
spellingShingle Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Ковтонюк, В.М.
Раевская, Н.С.
Беляев, А.Е.
Бобыль, А.В.
Конакова, Р.В.
Кудрик, Я.Я.
Миленин, В.В.
Новицкий, С.В.
Шеремет В.Н.
Новые компоненты для электронной аппаратуры
title Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_alt Діоди Ганна з InP з катодним контактом, що інжектує гарячі електрони. Частина 1. Міжфазні взаємодії в катодних контактах
InP Gunn diodes with a cathode contact injecting hot electrons. Part 1. Interactions between phases in the cathode contacts
title_full Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_fullStr Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_full_unstemmed Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_short Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
title_sort диоды ганна из inp с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. часть 1. межфазные взаимодействия в катодных контактах
topic Новые компоненты для электронной аппаратуры
topic_facet Новые компоненты для электронной аппаратуры
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51975
work_keys_str_mv AT boltovecns diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT ivanovvn diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT kovtonûkvm diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT raevskaâns diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT belâevae diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT bobylʹav diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT konakovarv diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT kudrikââ diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT mileninvv diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT novickiisv diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT šeremetvn diodygannaizinpskatodnymkontaktominžektiruûŝimgorâčieélektronyčastʹ1mežfaznyevzaimodeistviâvkatodnyhkontaktah
AT boltovecns díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT ivanovvn díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT kovtonûkvm díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT raevskaâns díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT belâevae díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT bobylʹav díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT konakovarv díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT kudrikââ díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT mileninvv díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT novickiisv díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT šeremetvn díodigannazinpzkatodnimkontaktomŝoínžektuêgarâčíelektroničastina1mížfaznívzaêmodíívkatodnihkontaktah
AT boltovecns inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT ivanovvn inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT kovtonûkvm inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT raevskaâns inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT belâevae inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT bobylʹav inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT konakovarv inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT kudrikââ inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT mileninvv inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT novickiisv inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts
AT šeremetvn inpgunndiodeswithacathodecontactinjectinghotelectronspart1interactionsbetweenphasesinthecathodecontacts