Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2010
• Автори: Лугин, А.Н., Оземша, М.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Теми: Электронные средства: исследования, разработки
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистора, а отже, й підвищення стійкості резистора до параметричних та катастрофічних відмов необхідно збільшити товщину резистивного шару під контактом та в приграничній до контакту зоні резистивного елементу. Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.