Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистор...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51977 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Лугин, А.Н. Оземша, М.М. 2013-12-22T00:27:37Z 2013-12-22T00:27:37Z 2010 Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977 Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистора, а отже, й підвищення стійкості резистора до параметричних та катастрофічних відмов необхідно збільшити товщину резистивного шару під контактом та в приграничній до контакту зоні резистивного елементу. Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов Підвищення надійності контакту тонкоплівкових резисторів Reliability growth of thin film resistors contact Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| spellingShingle |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов Лугин, А.Н. Оземша, М.М. Электронные средства: исследования, разработки |
| title_short |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_full |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_fullStr |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_full_unstemmed |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_sort |
повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| author |
Лугин, А.Н. Оземша, М.М. |
| author_facet |
Лугин, А.Н. Оземша, М.М. |
| topic |
Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet |
Электронные средства: исследования, разработки |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Підвищення надійності контакту тонкоплівкових резисторів Reliability growth of thin film resistors contact |
| description |
Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам.
Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистора, а отже, й підвищення стійкості резистора до параметричних та катастрофічних відмов необхідно збільшити товщину резистивного шару під контактом та в приграничній до контакту зоні резистивного елементу.
Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977 |
| citation_txt |
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT luginan povyšenienadežnostikontaktatonkoplenočnyhrezistorov AT ozemšamm povyšenienadežnostikontaktatonkoplenočnyhrezistorov AT luginan pídviŝennânadíinostíkontaktutonkoplívkovihrezistorív AT ozemšamm pídviŝennânadíinostíkontaktutonkoplívkovihrezistorív AT luginan reliabilitygrowthofthinfilmresistorscontact AT ozemšamm reliabilitygrowthofthinfilmresistorscontact |
| first_indexed |
2025-12-07T16:03:27Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:03:27Z |
| _version_ |
1850866042010599424 |