Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистор...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862686268923576320 |
|---|---|
| author | Лугин, А.Н. Оземша, М.М. |
| author_facet | Лугин, А.Н. Оземша, М.М. |
| citation_txt | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам.
Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистора, а отже, й підвищення стійкості резистора до параметричних та катастрофічних відмов необхідно збільшити товщину резистивного шару під контактом та в приграничній до контакту зоні резистивного елементу.
Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:03:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51977 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:03:27Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лугин, А.Н. Оземша, М.М. 2013-12-22T00:27:37Z 2013-12-22T00:27:37Z 2010 Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов / А.Н. Лугин, М.М. Оземша // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 11-14. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977 Предложена конструкция контакта, позволяющая снизить пиковые значения тока и мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Показано, що з метою зниження пікових значень струму та потужності розсіювання у контакті тонкоплівкового резистора, а отже, й підвищення стійкості резистора до параметричних та катастрофічних відмов необхідно збільшити товщину резистивного шару під контактом та в приграничній до контакту зоні резистивного елементу. Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов Підвищення надійності контакту тонкоплівкових резисторів Reliability growth of thin film resistors contact Article published earlier |
| spellingShingle | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов Лугин, А.Н. Оземша, М.М. Электронные средства: исследования, разработки |
| title | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_alt | Підвищення надійності контакту тонкоплівкових резисторів Reliability growth of thin film resistors contact |
| title_full | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_fullStr | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_full_unstemmed | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_short | Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| title_sort | повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов |
| topic | Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронные средства: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51977 |
| work_keys_str_mv | AT luginan povyšenienadežnostikontaktatonkoplenočnyhrezistorov AT ozemšamm povyšenienadežnostikontaktatonkoplenočnyhrezistorov AT luginan pídviŝennânadíinostíkontaktutonkoplívkovihrezistorív AT ozemšamm pídviŝennânadíinostíkontaktutonkoplívkovihrezistorív AT luginan reliabilitygrowthofthinfilmresistorscontact AT ozemšamm reliabilitygrowthofthinfilmresistorscontact |