Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• 1. Verfasser: Перевертайло, В.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.

Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах. The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created.