Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862619988504870912 |
|---|---|
| author | Перевертайло, В.Л. |
| author_facet | Перевертайло, В.Л. |
| citation_txt | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения.
Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах.
The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:20:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51980 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:20:07Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Перевертайло, В.Л. 2013-12-22T00:40:45Z 2013-12-22T00:40:45Z 2010 Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980 Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах. The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов Датчики інтегральної поглинутої дози іонізувального випромінювання на основі МОН-транзисторів Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on MOSFET Article published earlier |
| spellingShingle | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов Перевертайло, В.Л. Сенсоэлектроника |
| title | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_alt | Датчики інтегральної поглинутої дози іонізувального випромінювання на основі МОН-транзисторів Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on MOSFET |
| title_full | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_fullStr | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_full_unstemmed | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_short | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_sort | датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе моп-транзисторов |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980 |
| work_keys_str_mv | AT perevertailovl datčikiintegralʹnoipogloŝennoidozyioniziruûŝegoizlučeniânaosnovemoptranzistorov AT perevertailovl datčikiíntegralʹnoípoglinutoídoziíonízuvalʹnogovipromínûvannânaosnovímontranzistorív AT perevertailovl sensorsofabsorbeddoseofionizingradiationbasedonmosfet |