Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2010
1. Verfasser: Перевертайло, В.Л.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:
Сенсоэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51980
record_format dspace
spelling Перевертайло, В.Л.
2013-12-22T00:40:45Z
2013-12-22T00:40:45Z
2010
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980
Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения.
Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах.
The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Сенсоэлектроника
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
Датчики інтегральної поглинутої дози іонізувального випромінювання на основі МОН-транзисторів
Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on MOSFET
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
spellingShingle Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
Перевертайло, В.Л.
Сенсоэлектроника
title_short Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
title_full Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
title_fullStr Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
title_full_unstemmed Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
title_sort датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе моп-транзисторов
author Перевертайло, В.Л.
author_facet Перевертайло, В.Л.
topic Сенсоэлектроника
topic_facet Сенсоэлектроника
publishDate 2010
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Датчики інтегральної поглинутої дози іонізувального випромінювання на основі МОН-транзисторів
Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on MOSFET
description Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах. The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980
citation_txt Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT perevertailovl datčikiintegralʹnoipogloŝennoidozyioniziruûŝegoizlučeniânaosnovemoptranzistorov
AT perevertailovl datčikiíntegralʹnoípoglinutoídoziíonízuvalʹnogovipromínûvannânaosnovímontranzistorív
AT perevertailovl sensorsofabsorbeddoseofionizingradiationbasedonmosfet
first_indexed 2025-12-07T13:20:07Z
last_indexed 2025-12-07T13:20:07Z
_version_ 1850855766651568128

Ähnliche Einträge