Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Акустические датчики для дистанционного контроля давления
за авторством: Карапетьян, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Карапетьян, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2008)
Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
за авторством: Катаев, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Катаев, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)
Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2010)
Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2008)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Изучение влияния величины поглощенной дозы радиации на вероятность развития злокачественных новообразований
за авторством: Демина, Э.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Демина, Э.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Радионуклиды европия как источники излучения для гамма-радиационных технологий: моделирование распределений поглощенной дозы в гомогенных средах
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2012)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
за авторством: Ревенюк, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ревенюк, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2010)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)
Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние ионизирующего излучения на белок- липидные комплексы липосом
за авторством: Древаль, В.И.
Опубліковано: (1993)
за авторством: Древаль, В.И.
Опубліковано: (1993)
Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
за авторством: Дружинін, А.О., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Дружинін, А.О., та інші
Опубліковано: (2018)
Многоканальные координатно-чувствительные рентгеновские детекторные системы на основе кремниевой интегральной технологии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)