Buchumschlag

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
1. Verfasser:	Перевертайло, В.Л.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51980
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)

Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Изучение влияния величины поглощенной дозы радиации на вероятность развития злокачественных новообразований
von: Демина, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Радионуклиды европия как источники излучения для гамма-радиационных технологий: моделирование распределений поглощенной дозы в гомогенных средах
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Гуляев, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2012)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние ионизирующего излучения на белок- липидные комплексы липосом
von: Древаль, В.И.
Veröffentlicht: (1993)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Многоканальные координатно-чувствительные рентгеновские детекторные системы на основе кремниевой интегральной технологии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)