Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения. Показано, що під час дифузійн...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862718338274164736 |
|---|---|
| author | Рахматов, А.З. Скорняков, С.Л. Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Бузруков, У.М. |
| author_facet | Рахматов, А.З. Скорняков, С.Л. Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Бузруков, У.М. |
| citation_txt | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения.
Показано, що під час дифузійного легування арсеном кремнієвих пластин в умовах вакуумованої кварцевої ампули найбільш ефективним є використання складеного джерела у вигляді кристалічного арсену та порошку кремнію марки КДБ з концентрацією базової домішки (бору) не менше концентрації базоѕої домішки в леговуаних кремнієвих пластинах. Визначено експериментальні значення поверхневої концентрації, власного та ефективного коефіцієнтів дифузії, що відповідають умовам дифузії As в ампулі напротязі 2 год при 1423 К та тиску пари As 2х10⁵ Па. Отримані результати можуть бути цікавими при розробці та виробленні низьковольтних (менше 7 В) обмежувачів напруги на основі кремнію.
It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffision conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2х10⁵ Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:14:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51981 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:14:04Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Рахматов, А.З. Скорняков, С.Л. Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Бузруков, У.М. 2013-12-22T00:47:34Z 2013-12-22T00:47:34Z 2010 Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981 Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения. Показано, що під час дифузійного легування арсеном кремнієвих пластин в умовах вакуумованої кварцевої ампули найбільш ефективним є використання складеного джерела у вигляді кристалічного арсену та порошку кремнію марки КДБ з концентрацією базової домішки (бору) не менше концентрації базоѕої домішки в леговуаних кремнієвих пластинах. Визначено експериментальні значення поверхневої концентрації, власного та ефективного коефіцієнтів дифузії, що відповідають умовам дифузії As в ампулі напротязі 2 год при 1423 К та тиску пари As 2х10⁵ Па. Отримані результати можуть бути цікавими при розробці та виробленні низьковольтних (менше 7 В) обмежувачів напруги на основі кремнію. It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffision conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2х10⁵ Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния Фізико-технологічні аспекти створення низьковольтних обмежувачів напруги на основі кремнію Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base Article published earlier |
| spellingShingle | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния Рахматов, А.З. Скорняков, С.Л. Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Бузруков, У.М. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния |
| title_alt | Фізико-технологічні аспекти створення низьковольтних обмежувачів напруги на основі кремнію Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base |
| title_full | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния |
| title_fullStr | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния |
| title_full_unstemmed | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния |
| title_short | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния |
| title_sort | физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981 |
| work_keys_str_mv | AT rahmatovaz fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ AT skornâkovsl fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ AT karimovav fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ AT edgorovadm fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ AT abdulhaevoa fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ AT buzrukovum fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ AT rahmatovaz fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû AT skornâkovsl fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû AT karimovav fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû AT edgorovadm fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû AT abdulhaevoa fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû AT buzrukovum fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû AT rahmatovaz physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase AT skornâkovsl physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase AT karimovav physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase AT edgorovadm physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase AT abdulhaevoa physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase AT buzrukovum physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase |