Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения. Показано, що під час дифузійн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2010
Автори: Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Бузруков, У.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Теми:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51981
record_format dspace
spelling Рахматов, А.З.
Скорняков, С.Л.
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Бузруков, У.М.
2013-12-22T00:47:34Z
2013-12-22T00:47:34Z
2010
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981
Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения.
Показано, що під час дифузійного легування арсеном кремнієвих пластин в умовах вакуумованої кварцевої ампули найбільш ефективним є використання складеного джерела у вигляді кристалічного арсену та порошку кремнію марки КДБ з концентрацією базової домішки (бору) не менше концентрації базоѕої домішки в леговуаних кремнієвих пластинах. Визначено експериментальні значення поверхневої концентрації, власного та ефективного коефіцієнтів дифузії, що відповідають умовам дифузії As в ампулі напротязі 2 год при 1423 К та тиску пари As 2х10⁵ Па. Отримані результати можуть бути цікавими при розробці та виробленні низьковольтних (менше 7 В) обмежувачів напруги на основі кремнію.
It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffision conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2х10⁵ Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
Фізико-технологічні аспекти створення низьковольтних обмежувачів напруги на основі кремнію
Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
spellingShingle Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
Рахматов, А.З.
Скорняков, С.Л.
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Бузруков, У.М.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_full Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_fullStr Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_full_unstemmed Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_sort физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
author Рахматов, А.З.
Скорняков, С.Л.
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Бузруков, У.М.
author_facet Рахматов, А.З.
Скорняков, С.Л.
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Бузруков, У.М.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2010
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Фізико-технологічні аспекти створення низьковольтних обмежувачів напруги на основі кремнію
Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base
description Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения. Показано, що під час дифузійного легування арсеном кремнієвих пластин в умовах вакуумованої кварцевої ампули найбільш ефективним є використання складеного джерела у вигляді кристалічного арсену та порошку кремнію марки КДБ з концентрацією базової домішки (бору) не менше концентрації базоѕої домішки в леговуаних кремнієвих пластинах. Визначено експериментальні значення поверхневої концентрації, власного та ефективного коефіцієнтів дифузії, що відповідають умовам дифузії As в ампулі напротязі 2 год при 1423 К та тиску пари As 2х10⁵ Па. Отримані результати можуть бути цікавими при розробці та виробленні низьковольтних (менше 7 В) обмежувачів напруги на основі кремнію. It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffision conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2х10⁵ Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981
citation_txt Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT rahmatovaz fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ
AT skornâkovsl fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ
AT karimovav fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ
AT edgorovadm fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ
AT abdulhaevoa fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ
AT buzrukovum fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničiteleinaprâženiânaosnovekremniâ
AT rahmatovaz fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû
AT skornâkovsl fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû
AT karimovav fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû
AT edgorovadm fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû
AT abdulhaevoa fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû
AT buzrukovum fízikotehnologíčníaspektistvorennânizʹkovolʹtnihobmežuvačívnapruginaosnovíkremníû
AT rahmatovaz physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT skornâkovsl physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT karimovav physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT edgorovadm physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT abdulhaevoa physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT buzrukovum physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
first_indexed 2025-12-07T18:14:04Z
last_indexed 2025-12-07T18:14:04Z
_version_ 1850874259711197184

Схожі ресурси