Buchumschlag

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения. Показано, що під час дифузійн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Бузруков, У.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Форш, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
von: Семенов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
von: Ащеулов, А.А.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)

Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)