Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для создания низковольтных ограничителей напряжения. Показано, що під час дифузійн...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Бузруков, У.М. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51981 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния / А.З. Рахматов, С.Л. Скорняков, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, У.М. Бузруков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 30-35. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
by: Джавадов, Н.Г.
Published: (2005)
by: Джавадов, Н.Г.
Published: (2005)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
Модель линии передачи для наноэлектроники
by: Нелин, Е.А.
Published: (2009)
by: Нелин, Е.А.
Published: (2009)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
by: Обухов, И.А.
Published: (2007)
by: Обухов, И.А.
Published: (2007)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2007)
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2007)
Модель алмазного транзистора
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2011)
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2011)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
Similar Items
-
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012) -
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010) -
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007) -
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)