Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе

Рассмотрена технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе и ее преимущества по сравнению с традиционными методами сборки, а также области применения микроэлектронной аппаратуры, в которой используются такие микросхемы. Розглянуто технологію складання мікросхем на гнучкому поліімідному н...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2010
Main Authors: Плис, Н.И., Вербицкий, В.Г., Жора, В.Д., Волнистов, В.Н., Грунянская, В.П., Сергеева, Н.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51984
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе / Н.И. Плис, В.Г. Вербицкий, В.Д. Жора, В.Н. Волнистов, В.П. Грунянская, Н.Н. Сергеева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Рассмотрена технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе и ее преимущества по сравнению с традиционными методами сборки, а также области применения микроэлектронной аппаратуры, в которой используются такие микросхемы. Розглянуто технологію складання мікросхем на гнучкому поліімідному носії. Показано, що такі мікросхеми відрізняються високою надійністю та мають перевагу у порівнянні з іншими конструкціями ІС у випадках їх використання у складі герметичних мікроскладань, у мікроелектронній апаратурі, що працює в умовах великих прискорень, ударних та радіаційних навантажень.ѕ The research is devoted to technology of microcircuit assembly on flexible polyimide substrate. It is proved that such microcircuits provide high reliability and have advantage over other IC models when applied in hermetic micro-assemblies in microelectronic devices that operate under high accelerations, shocks and strong radiation.
ISSN:2225-5818