Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
Рассмотрена технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе и ее преимущества по сравнению с традиционными методами сборки, а также области применения микроэлектронной аппаратуры, в которой используются такие микросхемы. Розглянуто технологію складання мікросхем на гнучкому поліімідному н...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51984 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе / Н.И. Плис, В.Г. Вербицкий, В.Д. Жора, В.Н. Волнистов, В.П. Грунянская, Н.Н. Сергеева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассмотрена технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе и ее преимущества по сравнению с традиционными методами сборки, а также области применения микроэлектронной аппаратуры, в которой используются такие микросхемы.
Розглянуто технологію складання мікросхем на гнучкому поліімідному носії. Показано, що такі мікросхеми відрізняються високою надійністю та мають перевагу у порівнянні з іншими конструкціями ІС у випадках їх використання у складі герметичних мікроскладань, у мікроелектронній апаратурі, що працює в умовах великих прискорень, ударних та радіаційних навантажень.ѕ
The research is devoted to technology of microcircuit assembly on flexible polyimide substrate. It is proved that such microcircuits provide high reliability and have advantage over other IC models when applied in hermetic micro-assemblies in microelectronic devices that operate under high accelerations, shocks and strong radiation.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |